Транзистор IGBT AFGH4L60T120 автомобильного класса на 1200 В, 60 А
Новая серия транзисторов IGBT AFGH4L60T120RWD-STD компании OnSemi отличается надежной конструкцией Field Stop VII Trench. Обеспечивает хорошую коммутационную производительность , предлагая состояния с низким напряжением и низкими потерями переключения.
Компания On Semiconductor представила 10 октября 2024г. новую серию транзисторов IGBT AFGH4L60T120RWD-STD - это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), Отличается надежной и экономичной конструкцией Field Stop VII Trench. Обеспечивает хорошую производительность в сложных коммутационных приложениях, предлагая как в состояния низким напряжением, так и низкие потери переключения, обеспечивает хорошую производительность как для жесткой, так и для мягкой коммутационной топологии в автомобильных приложениях. Используя новую технологию полевого останова IGBT 7-го поколения и диод Gen7 в 4-выводном корпусе TO247, этот транзистор обеспечивает хорошую производительность с низким напряжением включенного состояния и низкими потерями переключения для топологий как жесткого, так и мягкого переключения в автомобильных приложениях.
Области применения:
• Автомобильный электронный компрессор
• Автомобильный PTC-нагреватель
Технические характеристики IGBT:
• Максимальное напряжение 1200В
• Максимальный ток 60А
• Максимальное напряжение эмитткр-база 20 В
• Чрезвычайно эффективный Trench (желоб) с технологией полевого останова
• Максимальная температура перехода − TJ = 175C
• Номинальное короткое замыкание и низкое напряжение насыщения
• Быстрое переключение и жесткое распределение параметров
• Квалификация AEC−Q101, PPAP доступен по запросу
• Не содержит свинца, галогенов, огнестойких добавок и соответствует требованиям RoHS
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26