Силовые СВЧ транзисторы на нитриде галлия (GaN) компании Nengxun
Выпускаемая компанией Nengxun серия мощных транзисторы на основе GaN предназначена для систем телекоммуникационной инфраструктуры в СВЧ-усилителях мощности базовых станций. В серию входят 15 типов транзисторов, работающих в отдельных участках общего диапазона частот сермм от 750 МГц до 2500 МГц.
Китайская компания Suzhou Nengxun High Energy Semiconductor Co., Ltd., основанная в 2011 году, является ведущим поставщиком услуг по производству нолупровожников из нитрида галлия (GaN), В сентябре 2023г. компания представила обновленную линейку СВЧ-транзисторов на основе GaN, перекрывающую диапахон частот от 750МГц до 2500МГц Линейка предназначена для использования в телекоммуникационной инфраструктуре и состоит из 15 мрделей, каждая из уоторых перекрывает узкий участок частот шириной около 60 – 100 МГц. Для получения представления о параметрах линейки приведем характеристики транзисторов с минимальной и максимальной частотой из диапазона всей линейки.
DXG1CH08B-240CF — это ВЧ GaN HEMT-транзистор мощностью 240 Вт, созданный по технологии RF GaN первого поколения от Dynax, который идеально подходит для применения в базовых станциях сотовой связи на частотах от 758 МГц до 821 МГц.
Технические характеристики:
• Частота 758~821 МГц
• Мощность пиковая 53.8 dBm (импульсный периодический режим с длительностью импульса 100 мкс и, рабочим циклом 10 %)
• Корпус: керамика 400-2, бессвинцовый, соответствует RoHS
• Мошность средняя 47.8 dBm
• КПД 37 %
• Коэффициент усиления 16.0 dB
DOD1H2425-600EF - самый высокочастотный GaN транзистор серии, работает в диапазоне частот 2400 – 2500 МГц. Выпускается в курамическом корпусе 1230-4. Мощность 72.5 dBm, коэффициент усиления 15dB. Остальные хпрактеристики примерно такие же, как у вышеописанного транзистора DXG1CH08B-240CF.
Типичные характеристики измерены в центре Dynax Demo с устройством, припаянным к радиатору, Условия тестирования: VDS = 48 В, IDQ = 650 мА, W-CDMA с одной несущей, ограничение величины IQ, PAR входного сигнала = 7,5 дБ при вероятности 0,01 % на CCDF. ACPR измерено в полосе канала 3,84 МГц при смещении ±5 МГц.
Преимущества GaN транзисторов:
• Высокая энергетическая эффективность,
• Высокий коэффициент усиления
• Внутреннее согласование для широкополосной работы
• Разработаны для систем цифровой коррекции ошибок с предыскажением в ВЧ-усилитель мощности базовых станций в диапазоне частот от 758 МГц до 2500 МГц
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26