Силовые МОП-транзисторы серии SGT N80-85V
Выпушенная компанией Yangjie новая серия N80-85V SGT транзисторов использует траншейную структуру МОП- SGT с защитным затвором) и особую технологию производства,что обеспечивает низкие потери проводимости и снижение потерь при переключении.
Китайская компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. выпустила во 2 кв. 2024г. новейшие МОП-транзисторы серии N80-85V SGT. В серии используется структура МОП-транзисторов SGT (траншейный МОП-транзистор с защитным затвором) и особый технологический метод производства, который обеспечивает преимущества в виде низких потерь проводимости традиционных траншейных МОП-транзисторов и приводит к более низким потерям при переключении. В качестве коммутационного устройства SGT MOSFET широко используется в BMS, инверторной системе питания, системе привода двигателя и других системах управления питанием электромобилей на новых источниках энергии и является его основным компонентом управления мощностью. В дополнение к традиционным корпусам серии TO в скором времени будут доступны корпуса DFN5060 с процессом Copper Clip. В настоящее время Yangjie Technology запустила серию решений для платформ N40V, N60V, N80-85V, N85V, N100V, N120V, чтобы клиенты могли гибко выбирать в соответствии со своими фактическими потребностями.
Особенности транзисторов:
1. Используя процесс SGT, достигаются чрезвычайно низкий Rdson и отличные коммутационные характеристики,трензисторы обеспечивают более низкий FOM и сниженные потерь в системе
2. По сравнению с традиционным траншейным процессом, параметры Ciss/Qg значительно улучшены и при разработке драйверов MOSFET появляется больше возможностей
3. Можно оптимизировать характеристики EAS продуктов MOS для повышения надежности системы в соответствии с различными условиями работы в приложениях.
Области применения
● Защита аккумулятора
● Выключатель нагрузки
● Источник бесперебойного питания
Технические характеристики транзисторов:
● N-канальный режим для улучшения полевого транзистора
● Напряжение сток-исток Vds 60В
● Напряжение затвор-исток VGS ±20 В
● Ток стока, ID 120А
● Сопротивление RDS(ON) (при VGS=10 В) ＜4,8 мОм
● Лавинная энергия в EAS 702 мДж
● Общая рассеиваемая мощность PD при Tc=25℃ 190 Вт
● Технология MOSFET с разъемным затвором
● Диапазон температур перехода TJ,TSTG -55～+150℃
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26