Радиочастотный GaN HEMT-модуль DMC1G35-12MN мощностью 10 Вт на частоты 3.3 -3.6 ГГц
Выпущенная компанией Nengxun серия DMC1G35-12MN мощных СВЧ модулей на основе GaN предназначена для работы в усилителях мощности телекоммуникационных базовых станций. Модули оптимизированы для диапазона частот 3300 – 3600 МГй, обеспечивают мощность до 10Вт с к.п.д. 43%.
Китайская компания Suzhou Nengxun High Energy Semiconductor Co., Ltd., выпустила в начале 2024г. серию DMC1G35-12MN радиочастотных модулей на GaN HEMT мощностью 10 Вт с технологией транзисторов RF GaN первого поколения от компании Dynax, которые идеально подходят для небольших сотовых систем на частотах от 3300 МГц до 3600 МГц. Основанная в 2011 году, компания является ведущим поставщиком услуг по производству радиочастотного нитрида галлия (GaN) в Китае, занимая лидирующие позиции в области исследований и разработок и крупномасштабного коммерческого использования радиочастотных чипов GaN и усилителей мощности, предоставляя энергоэффективные полупроводниковые продукты и решения для базовых станций мобильной связи 5G.,
Технические характеристики модуля DMC1G35-12MN:
• Частота минимальня 3300 МГц
• Частота максимальная 3600 МГц
• Напряжение питания 24 В
• Мощность в насыщении Psat 39.5 dBm (типовая)
• Коэффициент усиления по мощности 29.9 дБ на частоте 3500 МГц
• Эффкетивность (к.п.д.) 42.9 % на частоте 3500 МГц
Вышеуказанные значения являются типичными характеристиками Доэрти в демонстрации Dynax с устройством, припаянным к радиатору в следующих. условиях тестирования:
• VDS = 24 В,
• Ток IDQ_DRIVER = 10 мА,
• Ток IDQ_CARRIER = 30 мА,
• VGS_PEAK = - 3,0 В,
• W-CDMA с одной несущей. ,
Ограничение величины IQ, PAR входного сигнала = 7,5 дБ при вероятности 0,01 % на CCDF.
ACPR измерен в полосе пропускания канала 3,84 МГц при смещении ±5 МГц.
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26