OnSemi выпустила сдвоенные мощные полевые транзисторы EFC2J013NUZ на ток до 68А с сопротивлением канала менее 0.006Ом

Выпущенные в ноябре 2017г компанией On Semiconductor миниатюрные сдвоенные  полевые транзисторы MOSFET N-типа EFC2J013NUZ отличаются очень низким сопротивлением открытого канала, составляющим всего 5.8мОм, и большим током стока в импульсе – до 68А. Конструкция MOSFET оптимизирована для обеспечения низкого тепловыделения в очень тонком корпусе размерами  2х1.5х0.1мм. Для защиты от электростатического пробоя между затвором и истоком включены встречно включенные диоды. Эти транзисторы целесообразно использовать в качестве мощных ключей в портативных устройствах. Благодаря малой толщине корпуса они  идеально подходят для защиты литий-йонных аккумуляторов. Основные характеристики транзисторов:

 ♦ Максимальное напряжение сток-исток 12В

 ♦ Допустимое напряжение затвор-исток ±8В

 ♦ Максимальный постоянный ток стока 17А

 ♦ Максимальный импульсный ток стока 68А при длительности импульса <10мкс и скважности не менее 100

 ♦ Максимальная рассеиваемая мощность 1.8Вт

 ♦ Максимальное напряжение электростатического разряда 2КВ

 ♦ Допустимая температура pn-переходов 150°C

 ♦ Тепловое сопротивление корпуса 69.4°C/Вт

 ♦ Температура хранения от -55°C до +150°C

Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026