ONSEMI обновила линейку IGBT транзисторов для цепей зажигания автомобилей

Компания On Semiconductor проинформировала 10 февраля 2022г. о выпуске обновленной серии IGBT транзисторов  FGD2040G3-F08, предназначенных для использования в драйверах цепей управления зажиганием автомобилей. Эти мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) с каналом N-типа имеют надежную и экономичную конструкцию Ultra Field Stop Trench и обеспечивают высокую производительность в требовательных коммутационных приложениях, предлагая как низкое напряжение в открытом состоянии, так и минимальные потери при коммутации. В корпус транзистора встроен быстрый комбинированный свободный защитный диод обратного восстановления  с низким прямым напряжением. Транзистор оптимизирован для высокоскоростного переключения.

Если для переключения тока катушки зажигания используется электронный компонент, то контактный прерыватель коммутирует небольшой ток индуктивности. В схемах с электронным зажиганием контактный прерыватель зажигания заменяется на более надежный электронный датчик (на эффекте Холла, магнитные и т.п.), что позволяет применять катушку зажигания низкой индуктивности, рассчитанную на более высокий пиковый ток. Соответственно, электронное зажигание с IGBT улучшает характеристики двигателя на высоких оборотах, обеспечивает качественное зажигание даже на загрязнённых свечах.

Области приложения транзистора FGD2040G3-F08:
• Схемы драйвера автомобильной катушки зажигания
• Сильноточная система зажигания
• Катушка в устройствах, подключаемых вилками

Основные технические характеристики транзистора FGD2040G3-F08:

• Энергия SCIS = 200 мДж при TJ = 25°C
• Максимальное напряжение 400В
• Низкое напряжение насыщения
• Привод затвора логического уровня 0 - 5В
• Сертификация по AEC-Q101
• Соответствует требованиям RoHS
• Совместимость с PPAP
• Отсутствуют свинец и галогениды

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26.