ON Semi и Transphorm разработали 600 В GaN транзисторы для компактных блоков питания
На конференции Прикладная Силовая Электроника (APEC), состоявшейся 16 марта 2015г в г. Шарлотт, Северная Каролина, компания ON Semiconductor объявила о начале серийного выпуска новых транзисторов на нитриде галлия (GaN), разработанных совместно с компанией Transphorm. Новые транзисторы серий NTP8G202N (TPH3202PS) и NTP8G206N (TPH3206PS) выполнены по каскодной схеме и рассчитаны на напряжение 600В. Преимуществом технологии GaN является малое сопротивление в открытом состоянии при высоком допустимом напряжении в закрытом состоянии, что обеспечивает высокую энергетическую эффективность при работе в импульсном режиме. Типовое сопротивление в открытом состоянии транзисторов указанных серий составляет 0.29ом и 0.15ом. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и сертифицированы по стандарту JEDEC. Для разработчиков предлагается отладочная плата NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2) с полной документацией, которая выполняет функции импульсного DC-DC преобразователя на 240Вт и позволяет убедиться в возможности проектирования устройств со значительно меньшими размерами, чем традиционные, благодаря меньшим тепловым потерям новых транзисторов. Импульсный каскад обеспечивает к.п.д импульсного преобразования 98%, при этом к.п.д. всего преобразователя с учетом потерь в корректоре фазы ( выполненном на NCP1654) достигает 97%. Эти характеристики обеспечиваются при частоте преобразования 200КГц и при полном соответствии требованиям ЭМС по стандарту EN55022 класс B.
Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.