NXP выпустила 3 новых типа транзисторов на 600В в корпусах SOT223
Компания NXP объявила 27 апреля 2015г о начале выпуска трех новых типов биполярных транзисторов в пластиковых SMD корпусах типа SOT223 с допустимым напряжением на коллекторе 600В. Эти высоковольтные транзисторы PBHV8560Z (NPN-типа), PBHV3160Z и PBHV9560Z (PNP-типа) имеют высокий коэффициент усиления по току hFE при большом коллекторном токе и низкое напряжение насыщения, достигающее 50мВ. Транзисторы отвечают требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначены для использования в блоках питания, осветительных устройствах и автомобильных силовых модулях, включая приводы электромобилей. NXP первой предложила транзисторы NPN-типа с указанными уникальными параметрами. Диапазон рабочих температур от -55°C до +150°C.
Основные параметры транзисторов:
|
Тип транзистора |
PBHV8560Z (npn) |
PBHV3160Z (pnp) |
PBHV9560Z (pnp) |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
50мВ (Ic=100мА) |
150мВ (Ic=30мА) |
140мВ (Ic=100мА) |
|
Максимальный ток коллектора |
500мА |
100мА |
500мА |
|
Типовой коэффициент усиления по току |
135 |
130 |
130 |
|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |
600В |
600В |
600В |
Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.