NXP выпускает новые транзисторы MOSFET средней мощности в корпусах DFN1010

Компания NXP объявила 23 июня 2014г о расширении семейства малосигнальных полевых транзисторов двумя новыми P-канальными MOSFET в сверхмалом корпусе DFN1010D-3 (SOT1215) с торцевыми контактами. Транзисторы PMXB65UPE и PMXB75UPE обеспечивают ток стока до 3.2 А, допустимое напряжение питания 12В и 20В и защищены от электростатического пробоя до 1.5 КВ. Сопротивление открытых транзисторов составляет 72мОм и 85мОм, пороговое напряжение затвор-исток 0.68В. Транзисторы имеют очень малые размеры корпуса 1.1 x 1.0 x 0.37 мм и, благодаря низкому тепловому сопротивлению корпуса, могут работать при довольно большой рассеиваемой мощности до 1Вт. Основные применения данных MOSFET: портативные и мобильные устройства, блоки управления питанием, адаптеры для зарядки, схемы управления моторами и вентиляторами, переключатели уровней питания.

Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.