NXP выпускает новые сверхминиатюрные транзисторы MOSFET в корпусах DFN1006

Компания NXP 4 августа 2014г начала выпускать четыре типа новых N- и P-канальных полевых транзисторов MOSFET в корпусах DFN1006. Транзисторы  PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB600UNE и PMZB950UPE рассчитаны на напряжение 20В, обладают защитой от электростатики на 1КВ HBM и имеют сопротивление открытого канала 0.47 Ом и 1.02 Ом (для разных типов). Пороговое напряжение открывания составляет всего 0.7В. В транзисторах используется Trench-технология (наличие паза в структуре кристалла). Предназначены для использования в качестве быстродействующих ключей и коммутаторов низкоомной нагрузки в устройствах с ограниченными габаритами таких, как смартфоны и планшеты. Размеры пластикового корпуса DFN1006 составляют всего 1.0 x 0.6 мм при высоте 0.37 мм. Эти одинарные транзисторы можно использовать вместо ранее выпущенных сдвоенных транзисторов в корпусах DFN1010: PMDXB600UNE, PMDXB950UPE и PMCXB900UE.

Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.