Новые транзисторы компании NXP со сверхнизким напряжением насыщения

Компания NXP анонсировала 20 октября 2014г выпуск двух новых транзисторов с низким напряжением коллектор-эмиттер в открытом состоянии в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D) с боковыми контактными площадками для пайки.  Транзисторы PBSS4330PAS и PBSS5330PAS обеспечивают напряжение насыщения коллектор-эмиттер всего 45мВ и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 30В. Максимальный ток коллектора составляет 3А, коэффициент усиления по току до 500. Новая конструкция выводов SMD корпуса очень удобна для пайки и позволяет использовать автоматическую оптическую систему контроля качества пайки на сборочных линиях. Транзисторы соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101 и могут работать до температуры 175°C. Эта линейка транзисторов будет расширена к концу года транзисторами средней мощности, а в начале 2015 года транзисторами с более высоким напряжением коллектор-эмиттер (до 100В). Данные транзисторы ориентированы на использование в коммутаторах и схемах управления питанием.

Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.