Новые РЧ транзисторы NXP на мощность 1500Вт

Компания NXP Semiconductors анонсировала 13 апреля 2016г новые мощные радиочастотные (РЧ) транзисторы MRF1K50H с мощностью в непрерывном режиме 1500Вт при напряжении питания 50В. Транзистоы работают на частотах до 500МГц и позволяют упростить конструкцию мощных РЧ усилителей для различных приложений от лазеров и плазменных генераторов до ускорителей частиц, промышленных сварочных аппаратов и вещательных радиостанций.  Как и любые мощные LDMOS транзисторы, MRF1K50H могут работать при КСВ 65:1 (коэффициент стоячей волны), но, в отличие от их предшественника  на 1250Вт типа MRFE6VP61K25H, могут рассеивать на 50% большую мощность. Такой запас мощности позволяет рассматривать транзисторы как альтернативу мощным вакуумным лампам. Транзисторы выпускаются в стандартном керамическом корпусе с импедансом как у существующих транзисторов высокой мощности, поэтому установка новых транзисторов не потребует перепроектирования печатных плат. Ещё большую надёжность обеспечивают эти же транзисторы в пластиковом корпусе, имеющие обозначение MRF1K50N, у них на 30% меньше тепловое сопротивление.

Основные характеристики транзисторов:

- эффективность 80% на частоте 100МГц

- коэффициент усиления 23.5дБ

- пробивное напряжение не менее 135В.

Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.