Новая платформа NXP обеспечивает низкие токи утечки транзисторов MOSFET с диодами Шоттки
Компания NXP 15 сентября 2014г анонсировала начало производства 30В и 40В MOSFET транзисторов на новой платформе NextPowerS3, основанной на собственной технологии “SchottkyPlus”. Эта технология сочетает высокое быстродействие MOSFET транзисторов с диодами Шоттки в импульсном режиме с низкими токами утечки, которые труднодостижимы традиционными методами. Повышение быстродействия традиционных MOSFET приборов столкнулось с проблемой роста чувствительности к импульсным выбросам напряжения и пробоям при большой скорости нарастания фронтов импульсов. Для защиты от выбросов напряжения обратной полярности в MOSFET стали вводить диоды Шоттки. Однако диоды Шоттки обладают большими токами утечки, которые резко возрастают при повышении температуры. Новая технология NXP использует принцип мягкого самовосстановления переходов после пробоя, что позволяет защищать транзистор от выхода из строя при сохранении низких токов утечки, характерных для полевых транзисторов. В новых MOSFET токи утечки не превышают 1мкА. Технология NextPowerS3 подходит для множества приложений, таких, как системы высокоэффективного питания в телекоммуникациях, портативных компьютерах и переносных инструментах с управляемыми моторами. Максимальная рабочая температура новых транзисторов составляет 175°C, рабочее напряжение 30В и 40В, тип проводимости N, сопротивление открытого транзистора 0.87 -2.40мОм (по группам). Линейка включает в себя 14 транзисторов в корпусах LFPAK56 и LFPAK33 следующих наименований: PSMN1R4-40YLD, PSMN0R9-30YLD, PSMN1R0-30YLD, PSMN1R2-30YLD, PSMN1R4-30YLD, PSMN2R4-30MLD, PSMN2R4-30YLD, PSMN3R0-30YLD, PSMN7R5-30MLD, PSMN7R5-30YLD, PSMN4R2-30MLD, PSMN4R0-30YLD, PSMN6R0-30YLD, PSMN6R1-30YLD.
Для заказов обращайтесь в ООО “Макро Тим» по адресу alexerk@macroteam.ru и по тел. +7(495)306-0026.