N-канальный силовой MOSFET SRC60R017FB с суперпереходом на 600 В сопротивлением 17 мОм
Выпущенная компанией Sanrise серия мощных MOSFET SRC60R017FB изготовлена с использованием передовой технологии суперперехода, что обеспечивает очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии, работу с низким зарядом затвора и малое время переключения.
Китайская компания Shenzhen Sanrise Tech Co., Ltd в уонце 2023г. представила новую серию SRC60R017FB мощных транзисторов MOSFET. Это высоковольтный силовой МОП-транзистор, изготовленный с использованием передовой технологии суперперехода. Изготовленный по этой тезнологии транзистор имеет чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии, работает с низким уровнем заряда затвора и обеспечивает малое время переключения, что делает транзистор особенно подходящим для приложений, требующих высокой плотности мощности и максимально возможной эффективности использования энергии. Напряжение пробоя SRC60R017FB составляет 600 В и транзистор имеет высокие лавинные характеристики. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-247.
Типовые применения: серверное и телекоммуникационное питание.
Особенности MOSFET:
• Сверхнизкое сопротивление RDS(ON) = 17 мОм при VGS = 10 В.
• Vds@Tjmax=650В.
• Сверхнизкий заряд затвора, Qg=290 нКл, типовой
• Возможность быстрого переключения
Прочная конструкция с улучшенными характеристиками EAS
• Уменьшенный уровень электромагнитных помех
• Соответствует требованиям для неавтомобильной промышленности
• Сверхбыстрый корпусной диод
Основные тезнические характеристики MOSFET SRC60R017FB:
• Напряжение сток-исток VDSS 600 В
• Напряжение затвор-исток (статическое) VGSS ±20 В
• Напряжение затвор-исток (динамическое, переменный ток f >1 Гц) VGSS до ±30 В
• Рассеиваемая непрерывная мощность (Tc=25℃,TO-247) Ptot 657 Вт
• Ток стока (TC=25°C) ID =120А, (TC=100°C) 76 A, )TC=125°C) 54 А
• Импульсный ток стока IDM 360 A
• Лавинная энергия, одиночный импульс EAS 600 мДж
• Лавинная энергия, повторяющаяся EAR 0,6 мДж
• Лавинный ток, повторяющающийся IAR 5,5 А
• Непрерывный прямой ток диода IS 120 А
• Импульсный ток диода IS.PULSE 360 А
• Прочность, VDS<=480 В dv/dt
• Обратный диод 80 В/нс dv/dt, VDS<=480 В, ISD<=ID dv/dt 50 В/нс
• Рабочая температура перехода TJ 150 ºC
• Температура хранения TSTG от -55 до 150 ºC
• Температура выводов (пайка, 10 с) 260ºC
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26