Мощный N-канальный IGBT на 1200 В, 140 А по технологии 7-го поколения с остановкой поля
Новая серия транзисторов IGBT FGY4L140T120SWD компании OnSemi использует новейшую технологию IGBT 7-го поколения с остановкой поля и защитный диод поколения Gen7, Это позволило повысить эффективность за счет снижения потерь переключения и улучшения проводимости.
Компания On Semiconductor представила 8 февраля 2024г. новую серию FGY4L140T120SWD мощных транзисторов IGBT. В транзисторах используетсяя новая технология IGBT 7-го поколения с остановкой поля и встроенный защитный диод поколения Gen7, Компоненты установленны в 4-выводном корпусе типа TO247. Серия FGY4L140T120SWD обеспечивает оптимальную производительность благодаря снижению потерь переключения и улучшению проводимости. Эти усовершенствования делают высокоэффективными многие операции в различных приложениях, таких как солнечные инверторы, ИБП и ESS.
Типовые применения транзисторов:
• Солнечные инверторы
• UPS
• Системы хранения энергии
• Коммерческие и промышленные струнные солнечные инверторы
• Персональные компьютеры
Технические характеристики IGBT:
• Максимальное напряжение 1200 В
• Максимальный ток 140 А
• Максимальная температура перехода TJ = 175°C
• Положительный температурный коэффициент для облегчения параллельной работы
• Возможность работы с большими токами
• Плавное и оптимизированное переключение
• Низкие потери при переключении
• Соответствует требованиям RoHS
• Тип корпуса TO247
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26