Макро Тим
Сравнение0
Отложенные 0
Корзина пуста 0
ВойтиМой кабинет
8 (495) 306-00-26
8 (495) 306-47-21
Заказать звонок
О компании
  • О компании
  • Качество
  • Контакты
  • Услуги
  • Вакансии
  • Условия работы
  • Политика
Производители
Склад
Контакты
Ещё
    Макро Тим
    О компании
    • О компании
    • Качество
    • Контакты
    • Услуги
    • Вакансии
    • Условия работы
    • Политика
    Производители
    Склад
    Контакты
    Ещё
      Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
      Макро Тим
      Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
      Телефоны
      8 (495) 306-00-26
      8 (495) 306-47-21
      Заказать звонок
      • Главная
      • О компании
        • Назад
        • О компании
        • О компании
        • Качество
        • Контакты
        • Услуги
        • Вакансии
        • Условия работы
        • Политика
      • Производители
      • Склад
      • Контакты
      • Личный кабинет
      • Корзина0
      • Отложенные0
      • Сравнение товаров0
      • 8 (495) 306-00-26
        • Назад
        • Телефоны
        • 8 (495) 306-00-26
        • 8 (495) 306-47-21
        • Заказать звонок
      Контактная информация
      111141, Москва, Зелёный проспект, дом 2
      info@macroteam.ru
      • Facebook
      • Вконтакте
      • Twitter
      • Instagram
      • Telegram
      • YouTube
      • Одноклассники
      • Google Plus
      • Mail.ru

      Мощный 90 Вт СВЧ GaN HEMT-транзистор DXG2PH50A-90N для диапазона 5 ГГц

      Главная
      -
      О компании
      -
      Новости
      -Мощный 90 Вт СВЧ GaN HEMT-транзистор DXG2PH50A-90N для диапазона 5 ГГц
      Поделиться

      Мощный 90 Вт СВЧ GaN HEMT-транзистор DXG2PH50A-90N для диапазона 5 ГГц

      Выпущенная компанией Dynax серия  DXG2PH50A-90N СВЧ транзисторов  на основе GaN предназначена для 5G базовых станций. Оптимизированы для диапазона 4800 – 5000 МГй, мощность до 90Вт, к.п.д. 41%.

      1 Июля 2025

      Китайская компания Dynax выпустила во II кВ. 2025г. новую серию СВЧ транзисторов DXG2PH50A-90N — это 90-ваттный радиочастотный GaN HEMT-транзистор с технологией RF GaN второго поколения, который идеально подходит для базовых станций сотовой связи на частотах от 4800 МГц до 5000 МГц. Рсновное применение -усилители СВЧ мощности базовых станций и другие многоканальные приложения.

      Особенности и преимущества:
      Высокая эффективность
      высокий коэффициент усиления
      Внутреннее согласование для широкополосной производительности
      Разработан для систем коррекции ошибок с цифровыми предыскажениями
      Оптимизирован для приложений Доэрти

      Технические характеристики транзисторов  :

      • Частота минимальня 4800 МГц
      • Частота максимальная 5000 МГц
      • Максимальное  напряжение сток-исток 150 В
      • Напряжение питания 55 В
      • Максимальный прямой ток затвора 10.3 мА
      • Мощность  в насыщении Psat  49.7 dBm (типовая)
      • Коэффициент усиления по мощности 48 дБ на частоте 4900 МГц
      • Эффкетивность (к.п.д.)  41 % на частоте 5000 МГц
      • Корпус  LS12A LGA 6×10mm
      • Максимальная рабочая температура перехода  +275°C
      ус
      Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26



      Поделиться

      Назад к списку
      Компания
      О компании
      Качество
      Условия работы
      Вакансии
      Политика
      Продукция
      Новости
      Наши контакты
      8 (495) 306-00-26
      8 (495) 306-47-21
      info@macroteam.ru
      111141, Москва, Зелёный проспект, дом 2
      2026 © Макро Тим