Мощные N-канальные транзисторы IGBT 4-го поколения с задержкой возбуждения FGH4L75T65MQDC50
Новые транзисторы IGBT компании OnSemi используют технологию 4-го поколения с задержкой возбуждения, обеспечивающую низкие потери проводимости и коммутации. Предназначены для повышения эффективности работы безмостовых преобразователей напряжения, корректоров фазы и инверторов.
Компания On Semiconductor выпустила 21 ноября 2022г. новую серию FGH4L75T65MQDC50 мощных транзисторов IGBT, В транзисторах используется технология 4-го поколения, основанная на задержке возбуждения и технологии поколения 1.5 SiC-диодов Шоттки. Транзистоы выпускаются в 4-выводном корпусе TO-247, Их использование обеспечивает оптимальные характеристики с низкими потерями проводимости и низкими коммутационными потерями. Транзисторы предназначены для обеспечения высокоэффективной работы различных устройств, особенно со схемами без мостов с тотемным полюсом, корректорах фазы PFC и инверторах.
Области применения IBGT:
• Зарядные станции (EVSE)
• Инверторы солнечных батарей
• Источники бесперебойного питания и ESS
• Корректоры фазы PFC, преобразователи питания
Основные технические характеристики IBGT FGH4L75T65MQDC50:
• Рабочее напряжение 650 В
• Максимальный ток коллектора 75 А
• Положительный температурный коэффициент, облегчающмй параллельную работу
• Возможность работы с высокими значениями токов
• 100 % транзисторов проходят испытания на ILM
• Плавное и оптимизированное переключение
• Низкое напряжение насыщения: VCE (в насыщении) = 1,45 В (тип.) при токе IC = 75 А
• Не требует обратного и прямого восстановления
• Точное распределение параметров
• Технология Field Stop IV, MQ (средняя скорость)
• Соответствие требованиям RoHS
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26