МОП-транзисторы TO-247-4L на основе карбида кремния семейства EliteSiC на 1200 В с сопротивлением RDS 40 мОм

Компания On Semiconductor выпустила 14 декабря 2022г. новую серию МОП трпнзисторов TO-247-4L семейства EliteSiC на основе карбида кремния (SiC) по планарной технологии с максимальным рабочим напряжением сток-исток 1200 В. Планарная технология надежно работает с отрицательным напряжением на затворе и исключает большие выбросы напряжения на затворе. Транзисторы  оптимизированы для приложений с быстрым переключением и обеспечивают очень короткие фронты импульсов. Выпускаются в корпусах типа 340CJ с 4 выводами с изолированным высрковольтным выводом, не содержат галогенидов и соответствует требованиям RoHS.  

Типичные области применения:
• Солнечные инверторы
• Зарядные станции для электромобилей
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Системы накопления энергии
• SMPS (импульсные источники питания)


Основные технические характеристики транзисторов TO-247-4L:

• Типовое сопротивление RDS(on) = 40 мОм при напряжении VGS = 18 В
• Сверхнизкий заряд затвора QG(tot) = 75 нКл
• Высокоскоростное переключение с низкой емкостью (Coss = 80 пФ)
• 100% лавинное тестирование транзисторов в производстве
• Максимальное напряжение сток-исток VDSS =1200 В
• Рабочие значения напряжения затвор-исток от −3 В до +18 В
• Непрерывный ток стока  43 A/ 31 A при температуре TC = 25°C / 100°C
• Рассеиваемая мощность до 231 Вт
• Импульсный ток стока IDM =134 A при TC = 25°C
• Рабочая температура перехода от -55°C до +175°C
• Ток источника (корпусной диод) IS =45 A при TC = 25°C, VGS = −3 В
• Одноимпульсная энергия лавины сток-исток  EAS =143 мДж


Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26