МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) серии EliteSiC, 23 мОм, 650 В

Компания On Semiconductor  представила  13 июня 2024г. новую серию МОП-транзисторов NVBG023N065M3S, выполненных на основе  карбида кремния (SiC).  В EliteSiC 650V M3S MOSFET используется совершенно новая технология, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми транзисторами. Кроме того, низкое сопротивление открытого состояния и компактный размер микросхемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитных помех и уменьшение размера системы.

Достоинства транзисторов:
• Новая технология M3S: 23 мОм RDS(ON) с низкими потерями Eon и Eoff
• Подходят для автомобильной промышленности согласно AEC-Q101
• Привод затвора от 15 В до 18 В
• Корпус D2PAK-7L  
• Не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS

Возможные  области применения:
• Автомобильное бортовое зарядное устройство
• Автомобильный DC-DC преобразователь для электро и ubбридных автомобилей


Технические характеристики транзисторов NVBG023N065M3S :

• Типичное значение RDS(ON) = 23 мОм при VGS = 18 В
• Сверхнизкий заряд затвора (QG(tot) = 69 нКл)
• Высокоскоростное переключение с низкой емкостью (Coss = 153 пФ)
• Мощность рассеяния PD   263 Вт
• Непрерывный ток стока при  TC = 100C  40 А
• Импульсный ток стока 216 A
• 100% лавинное тестирование
• Соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP.


Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26