Маломощные N- канальные МОП транзисторы серии VBTA1220N широкого применения компании VBsemi

Китайская компания Shenzhen VBsemi Semiconductor Co., Ltd. является национальным высокотехнологичным предприятием, специализирующимся на производстве МОП-транзисторов со средним и низким напряжением (12 В ~ 250 В). Во 2 кв. 2024г. компания выпустила новую серию маломощных  МОП-транзисторов VBTA1220N. Эта  серия предназначена для схем и модулей с низким энергопотреблением, высокой эффективностью и высокими требованиями к надежности, таких как усилители сигнала, маломощное электронное оборудование и интеллектуальные модули датчиков.

Области применения:
1. Усилители сигнала: поскольку VBTA1220N имеют более высокий VDS и более низкий ток ID, они подходят для схемотехники в усилителях для повышения эффективности и стабильности усиления сигнала.
2. Маломощное электронное оборудование: для низкого энергопотребления и высокой производительности, для управления цепями и усилителями мощности.
3. Модули интеллектуальных датчиков для достижения быстрого реагирования и точного управления при изменениях окружающей среды.

Основные характеристики транзисторов VBTA1220N:

• Одиночная структура N-типа
• Технология: траншейный  пакет SC75-3, напряжение- VDS  20В
• VGS  12В
• RDS (вкл.) при VGS = 2,5 В 390 мОм
• RDS (вкл.)  при VGS = 4,5 В  270мОм
• Устойчивость к высокому напряжению: VDS 20 В,
•  Широкий диапазон допустимого входного напряжения: VGS ±12 В,
• Диапазон порогового напряжения затвора Vth составляет 0,5 ~ 1,5 В,
• Подходит для тока нагрузки до  0.85 А,\
• Используемая траншейная технология обладает хорошей стабильностью работы и надежностью.
• Корпус SC75-3 для удобной интеграции в печатную плату

: Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26