Карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки NDSH20120CDN серии EliteSiC на ток 20 А, 1200 В
Новая серия NDSH20120CDN диодов Шоттки компании OnSemi использует новейшую карбид-кремниевую (SiC) технологию, обеспечивающую высокую скорость переключения и повышенную надежность по сравнению с кремниевыми. В диодах отсутствует обратный ток восстановления и нет зависимости скорости переключения от температуы
Компания On Semiconductor представила 16 ноября 2023г. новую серию NDSH20120CDN
карбид-кремниевых (SiC) диодов Шоттки, в которых ислользуется совершенно новая технология, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с чисто кремниевой технологией. Отсутствие обратного тока восстановления, температурно-независимые характеристики переключения и отличные тепловые характеристики делают карбид кремния следующим поколением силовых полупроводников. Преимуществами технология являются высочайшая эффективность, более высокая рабочая частота, повышенная удельная мощность, снижение электромагнитных помех, а также уменьшение размера и стоимости системы. В корпусе с тремя выводами содержатся два встречно включенных диода.
Области применения
• Схемы общего назначения
• SMPS, солнечные инверторы, ИБП
• Схемы переключения мощности
Технические характеристики диодов NDSH20120CDN:
• Максимальная температура перехода 175°C
• Максимальный прямой ток 20 А
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Энергетический лавинный номинал 49 мДж
• Высокая допустимая нагрузка по импульсному току
• Положительный температурный коэффициент
• Простота параллельного подключения
• Нет потерь времени на обратное и прямое восстановление
• Диоды не содержит свинца и галогенидов и соответствуют требованиям RoHS с исключением п. 7a
Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26