Бескорпусной силовой N-канальный МОП-транзистор серии NVCW3SS0D5N03CLA с логикой до 30 В с сопротивлением канала 0.52 мОм

Компания On Semiconductor выпустила  22 апреля 2022г. обновленную версию силовых МОП-транзисторов NVCW3SS0D5N03CLA в бескорпусном исполнении. Транзисторы имеют канал N-типа и преднахначены для работы в импульсном режиме с логическими уровнями до 30В. Поставляются в виде массива кристаллов на пластине диаметром 8 дюймов. Чипы на 100% проверены на соответствие условиям и ограничениям, указанным при температуре 25°C.  Поскольку точный тест сопротивления RDS открытого канала невозможен на уровне кристалла из-за его малой толщины из-за ограниченной точности тестового контакта с мириатюрным  кристалллом, то максимальная спецификация RDS(on) определяется на основе предыдущего исторического опыта измерений.

Транзисторы предназначены для таких приложений, как переключатели нагрузки и питания для портативных устройств и вычислительных систем, преобразователи постоянного тока в постоянный.

Основные технические характеристики транхисторов:

• Напряжение пробоя сток-исток BVDSS 30 В  при ID = 250 А, VGS = 0 В
• Ток утечки сток-исток IDSS  1 мкА при VDS = 24 В, VGS = 0 В
• Ток утечки затвор-исток IGSS 100 нА  при VGS = 20 В, VDS = 0 В
• Пороговое напряжение между затвором и истоком 1,3–2,2 В при VGS = VDS, ID = 250 нА
* Сопротивление RDS(on) 0,43 - 0,52 мОм при ID = 30 А, VGS = 10 В, и 0,68 - 0,85 мОм при VGS = 4,5 В
• Типичное значение RDS(on) = 0,43 мОм при VGS = 10 В.
• Типичное значение заряда затвора Qg(tot) = 139 нКл при VGS = 10 В
• Соответствие требованиям стапдарта AEC-Q101
• Соответствует нормам RoHS
• Состав материалов:
    - Затвор: AlCu
    - Исток: Ti-NiV-Ag
    - Сток Ti-Ni-Ag (обратная сторона матрицы)
• Форма выпуска транзисторов – массив из 2458 чипов на пластинах диаметром 8 дюймов

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  sales@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26.