Новости

Компания Avago выпустила в марте 2015г модуль AFCP-CT4X10D, который является оптическим передатчиком типа 40GE-LR4 Lite, выполненным в виде миниатюрной вставки квадратного сечения. Модуль обеспечивает передачу данных со скоростью 40Гб/с и предназначен для работы с роутерами и коммутаторами в большом сетевом центре передачи данных.

На состоявшейся в марте конференции Прикладная Силовая Электроника (APEC 2015) компания ON Semiconductor представила новое поколение интегральных схем для силовой электроники: новую ИС на основе технологии GaN, работающую по LLC-схеме в токовом режиме, которая рекомендуется для построения блоков питания компьютеров и ТВ со светодиодными дисплеями, и ИС контроллера мотора, работающего без датчиков положения ротора.

На конференции Прикладная Силовая Электроника (APEC), состоявшейся 16 марта 2015г в г. Шарлотт, Северная Каролина, компания ON Semiconductor объявила о начале серийного выпуска новых транзисторов на нитриде галлия (GaN), разработанных совместно с компанией Transphorm. Новые транзисторы серий NTP8G202N (TPH3202PS) и NTP8G206N (TPH3206PS) выполнены по каскодной схеме и рассчитаны на напряжение 600В. Преимуществом технологии GaN является малое сопротивление в открытом состоянии при высоком допустимом напряжении в закрытом состоянии, что обеспечивает высокую энергетическую эффективность при работе в импульсном режиме.

Компания Texas Instruments выпустила в феврале 2015г понижающий импульсный DC-DC преобразователь LP8728B-Q1 с четырьмя раздельно регулируемыми выходными напряжениями. Фактически это четыре преобразователя с высоким к.п.д., интегрированные в одном корпусе. Каждый преобразователь работает с фиксированной частотой коммутации 3.2МГц и имеет раздельное управление.

Avago выпустила в феврале 2015г. оптопару ACPL-W349, обеспечивающую высокоскоростное управление током в нагрузке до 2.5А, Состоит из светодиода AlGaAs, который оптически связан с интегральной схемой с мощным выходным каскадом. Данная оптопара идеально подходит для управления мощными транзисторами MOSFET типа SiC/GaN (карбид кремния / нитрид галлия) и IGBT с параметрами до 1200В/100А, используемыми в силовых преобразователях.

Компания NXP Semiconductors N.V. с 19 февраля 2015г начала серийное производство новой серии выпрямительных диодов Шоттки средней мощности. Диоды со свернизким падением напряжения серии PMEGxEDP рассчитаны на ток 5 – 15А и выпускаются в плоском корпусе CFP15 толщиной всего 0.78мм, что делает их привлекательными для использования в блоках зарядки смартфонов и планшетов.