Наши телефоны:
8 (495) 306-00-26
8 (495) 306-47-21
8 (495) 306-47-89

Принимаем участие в:

list
rand prev next

Пресс-центр

10.01.2020

Высоковольтный 600В драйвер LMG3410R050 с GaN ключем и встроенной защитой

Компания Texas Instruments выпустила в конце декабря 2019г ИС LMG341xR050 мощного драйвера с выходным транзистором по технологии GaN, который позволяет работать с напряжением до 600В. ИС содержит низковольтный усилительный каскад, мощный оконечный ключ на GaN полевом транзисторе и цепи защиты от перегрузки.

Компания Texas Instruments выпустила в конце декабря 2019г ИС LMG341xR050 мощного драйвера с выходным транзистором по технологии GaN, который позволяет работать с напряжением до 600В. ИС содержит низковольтный усилительный каскад, мощный оконечный ключ на GaN полевом транзисторе и цепи защиты от перегрузки. GaN транзистор имеет очень малые входную и выходную емкости, что позволяет позволяет работать с очень крутыми фронтами импульсов. Другими достоинствами GaN транзистора являются низкое управляющим напряжением и нулевое обратное напряжение для восстановления, что обеспечивает снижение потерь на 80% по сравнению с обычными полевыми транзисторами. Также снижается уровень паразитных ЭМ излучений. Используемая в данной ИС схема обладает рядом преимуществ по сравнение с традиционной каскодной схемой включения GaN полевых транзисторов: обеспечивается  скорость нарастания фронтов импульсов до 100В/нс и близкие к нулю допустимые провалы питания. Время реакции на включение режима ограничения тока составляет всего 100нс, что обеспечивает надежную работу цепи защиты при появлении короткого замыкания или при перегреве. Предусмотрена возможность регулировки скорости нарастания фронтов импульсов во внутреннем операционном  усилителе. Имеется вывод цифрового сигнала состояния ИС и наличия ошибки в работе. ИС выпускается в корпусах QFN размерами 8 х 8 мм, обладающим низкой индуктивностью выводов.

 

Основные характеристики ИС LMG341xR050:

  • Параметры встроенного усилителя
    • Однополярное напряжение питания +12 В
    • Нулевая индуктивность вывода земли
    • Задержка распространения 20 нс для мегагерцовых сигналов
    • Подстраиваемое опорное напряжение для компенсации разброса порогов
    • Регулируемая скорость нарастания фронтов от 25 до 100 В/нс
  • Характеристики защиты
    • Не требуется внешних компонентов для защиты
    • Защита от перегрузки по току с временем срабатывания менее 100 нс
    • Устойчивость к наводкам от импульсов с крутизнойоном фронтов более 150 В/нс
    • Устойчивость к перегрузкам по напряжению
    • Защита от перерегрева
    • Зашита от зависания при пропадании напряжения на любой шине питания
    • LMG3410R050: Защелкивание при перегрузке по току
    • LMG3411R050: Защита от перегрузки по току в каждом такте

 Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26

Корзина

Название
Кол-во
нет покупок

Авторизация на сайте

ООО «Макро Тим» // Пресс-центр

10.01.2020

Высоковольтный 600В драйвер LMG3410R050 с GaN ключем и встроенной защитой

Компания Texas Instruments выпустила в конце декабря 2019г ИС LMG341xR050 мощного драйвера с выходным транзистором по технологии GaN, который позволяет работать с напряжением до 600В. ИС содержит низковольтный усилительный каскад, мощный оконечный ключ на GaN полевом транзисторе и цепи защиты от перегрузки.

Компания Texas Instruments выпустила в конце декабря 2019г ИС LMG341xR050 мощного драйвера с выходным транзистором по технологии GaN, который позволяет работать с напряжением до 600В. ИС содержит низковольтный усилительный каскад, мощный оконечный ключ на GaN полевом транзисторе и цепи защиты от перегрузки. GaN транзистор имеет очень малые входную и выходную емкости, что позволяет позволяет работать с очень крутыми фронтами импульсов. Другими достоинствами GaN транзистора являются низкое управляющим напряжением и нулевое обратное напряжение для восстановления, что обеспечивает снижение потерь на 80% по сравнению с обычными полевыми транзисторами. Также снижается уровень паразитных ЭМ излучений. Используемая в данной ИС схема обладает рядом преимуществ по сравнение с традиционной каскодной схемой включения GaN полевых транзисторов: обеспечивается  скорость нарастания фронтов импульсов до 100В/нс и близкие к нулю допустимые провалы питания. Время реакции на включение режима ограничения тока составляет всего 100нс, что обеспечивает надежную работу цепи защиты при появлении короткого замыкания или при перегреве. Предусмотрена возможность регулировки скорости нарастания фронтов импульсов во внутреннем операционном  усилителе. Имеется вывод цифрового сигнала состояния ИС и наличия ошибки в работе. ИС выпускается в корпусах QFN размерами 8 х 8 мм, обладающим низкой индуктивностью выводов.

 

Основные характеристики ИС LMG341xR050:

 Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26