Наши телефоны:
8 (495) 306-00-26
8 (495) 306-47-21
8 (495) 306-47-89

Принимаем участие в:

list
rand prev next

Пресс-центр

13.11.2019

Набирает обороты производство магниторезистивной памяти MRAM – ,быстродействующей альтернативы Flash памяти

Появились первые признаки того, что элементная база нового типа памяти - магниторезистивная память MRAM – становится реальным сегментом рынка. Самый крупный производитель MRAM компания Everspin Technologies сообщила 7 ноября 2019г о получении рекордной квартальной выручки от поставок микросхем энергонезависимой памяти типа STT-MRAM.

Появились первые признаки того, что элементная база нового типа памяти - магниторезистивная память MRAM – становится реальным сегментом рынка.  Самый крупный производитель MRAM компания Everspin Technologies сообщила  7 ноября 2019г о получении рекордной квартальной выручки от поставок микросхем энергонезависимой памяти типа STT-MRAM. Ранее Everspin массово выпускала 256-Мбит чипы по 40нм-технологии на американском заводе компании NXP и на линиях GlobalFoundries, но после перехода в III квартале на технологию 28нм .стала выпускать микросхемы STT-MRAM вчетверо большей ёмкостью (1 Гбит ) и потребители сразу отреагировали на это ростом спроса. В то же время компания Everspin всё ещё не может выйти на безубыточный уровень производства магниторезистивной памяти. Чистые убытки в третьем квартале составили $3,7 млн. Это меньше, чем в аналогичный квартал прошлого года, когда убытки достигли $5,6 млн. Во втором квартале текущего года убытки также равнялись $3,7 млн. В четвёртом квартале этого года Everspin рассчитывает выручить до $9,7 млн. Совокупная выручка Everspin в третьем квартале 2019г. составила $9,2 млн или на 6 % больше, чем в предыдущем втором квартале. На CES 2020 можно ожидать новые интересные решения на базе 1-Гбит чипов Everspin.

 

Магниторезистивная оперативная память MRAM - запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Основным достоинством MRAM является её энергонезависимость – инфоомация сохраняется при полном отключении питания, так же, как во Flah-памяти. Но, в отличие от Flash, память MRAM обладает существенно более высоким быстродействием, что позволяет использовать её в качестве оперативной памяти, в кеширующих блоках[ для накопителей и интерфейсов и в быстродействующих накопителях SSD. Основной технологической трудностью для MRAM остаётся низкая плотность записи - ячейки для хранения данных у MRAM довольно большие и их уменьшение весьма  проблематично наработанными приемами. Тем не менее, большие потенциальные возможности MRAM стимулируют инженеров на поиски новых решений. Вполне возможно, что со временем MRAM станет конкурентноспособной с существующей Flash-памятью.

 

Основным производителем MRAM в настоящее время является компания Everspin Technologies, выпускающая коммерческие ИС STT-MRAM объемом 1Гбит. Производством MRAM в меньших масштабах занимается также компания Intel. В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус Наноэлектронка».

 

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26

Корзина

Название
Кол-во
нет покупок

Авторизация на сайте

ООО «Макро Тим» // Пресс-центр

13.11.2019

Набирает обороты производство магниторезистивной памяти MRAM – ,быстродействующей альтернативы Flash памяти

Появились первые признаки того, что элементная база нового типа памяти - магниторезистивная память MRAM – становится реальным сегментом рынка. Самый крупный производитель MRAM компания Everspin Technologies сообщила 7 ноября 2019г о получении рекордной квартальной выручки от поставок микросхем энергонезависимой памяти типа STT-MRAM.

Появились первые признаки того, что элементная база нового типа памяти - магниторезистивная память MRAM – становится реальным сегментом рынка.  Самый крупный производитель MRAM компания Everspin Technologies сообщила  7 ноября 2019г о получении рекордной квартальной выручки от поставок микросхем энергонезависимой памяти типа STT-MRAM. Ранее Everspin массово выпускала 256-Мбит чипы по 40нм-технологии на американском заводе компании NXP и на линиях GlobalFoundries, но после перехода в III квартале на технологию 28нм .стала выпускать микросхемы STT-MRAM вчетверо большей ёмкостью (1 Гбит ) и потребители сразу отреагировали на это ростом спроса. В то же время компания Everspin всё ещё не может выйти на безубыточный уровень производства магниторезистивной памяти. Чистые убытки в третьем квартале составили $3,7 млн. Это меньше, чем в аналогичный квартал прошлого года, когда убытки достигли $5,6 млн. Во втором квартале текущего года убытки также равнялись $3,7 млн. В четвёртом квартале этого года Everspin рассчитывает выручить до $9,7 млн. Совокупная выручка Everspin в третьем квартале 2019г. составила $9,2 млн или на 6 % больше, чем в предыдущем втором квартале. На CES 2020 можно ожидать новые интересные решения на базе 1-Гбит чипов Everspin.

 

Магниторезистивная оперативная память MRAM - запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Основным достоинством MRAM является её энергонезависимость – инфоомация сохраняется при полном отключении питания, так же, как во Flah-памяти. Но, в отличие от Flash, память MRAM обладает существенно более высоким быстродействием, что позволяет использовать её в качестве оперативной памяти, в кеширующих блоках[ для накопителей и интерфейсов и в быстродействующих накопителях SSD. Основной технологической трудностью для MRAM остаётся низкая плотность записи - ячейки для хранения данных у MRAM довольно большие и их уменьшение весьма  проблематично наработанными приемами. Тем не менее, большие потенциальные возможности MRAM стимулируют инженеров на поиски новых решений. Вполне возможно, что со временем MRAM станет конкурентноспособной с существующей Flash-памятью.

 

Основным производителем MRAM в настоящее время является компания Everspin Technologies, выпускающая коммерческие ИС STT-MRAM объемом 1Гбит. Производством MRAM в меньших масштабах занимается также компания Intel. В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус Наноэлектронка».

 

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26