Наши телефоны:
8 (495) 306-00-26
8 (495) 306-47-21
8 (495) 306-47-89

Принимаем участие в:

list
rand prev next

Пресс-центр

20.02.2019

ИС LMG1210 для управления мощным полумостовым ключем на транзисторах GaN с питанием 200В/1.5А

Свой подход к эффективному использованию возможностей полевых транзисторов на нитриде галлия (GaN FET) продемонстрировала компания Texas Instruments, выпустив в феврале 2019г новую ИС LMG1210. ИС оптимизирована для совместной работы с мощным полумостовым каскадом на GaN FET.

Свой подход к эффективному использованию возможностей полевых транзисторов на нитриде галлия (GaN FET) продемонстрировала компания Texas Instruments, выпустив в феврале 2019г новую ИС LMG1210. ИС оптимизирована для совместной работы с мощным полумостовым каскадом на GaN FET.  В ркзультате создан мощный импульсный усилитель с напряжением питания 200В и током в нагрузке 1.5А, с частотой импульсов до 50МГц, с очень малой задержкой распространения 10нс, со временем переключения с высокого уровня на низкий 3.4нс и возможностью регулировки времени простоя (deadtime) при работе с ШИМ.  В ИС имеется встроенный стабилизатор напряжения на 5В, благодаря чему ИС работает с любым напряжением от 6В до 18В. Предусмотрена  возможность выбора типа ограничительного диода (стабилитрона)  для адаптации ИС к различным приложениям.  Внутренний ключ отключает стабилитрон, когда разомкнута цепь на землю, предотвращая тем самым перегрузку стабилитрона и минимизируя обратный выброс заряда. Дополнительным преимуществом транзисторов GaN FET является малая выходная паразитная емкость, не превышающая 1пф, что также снижает потери при коммутации. ИС может работать в двух режимах работы: два ее выхода  независимо либо в режиме ШИМ. В режиме с независимыми выходами каждым из выходов ИС функционирует независимо в соответствии с его назначением. В режиме ШИМ оба комплементарных выходных сигнала формируются из одного входного и пользователь может регулировать время простоя каждого фронта импульса от 0 до 20нс. ИС имеет защиту от недо- и перенапряжения и от перегрева. Диапазон рабочих температур составляет от –40°C до 125°C. ИС выпускается в корпусе типа WQFN с низкой паразитной индуктивностью выводов. Основные характеристики:

  • Напряжение питания ИС от 6В до 18В
  • Скорости нарастания фронтов 300В/нс
  • Частота импульсов до 50МГц
  • Типовая задержка распространения 10нс
  • Время переключения «сверху вниз» 3.4нс
  • Минимальная длительность импульсов 4нс
  • Два режима управления обоими выходами: независимая работа и режим ШИМ с регулируемым временем простоя  
  • Максимальные выходные токи: заряд от источники 1.5А, разряд на землю 3А
  • Предусмотрено подключение внешнего защитного стабилитрона
  • Имеется внутренний стабилизатор LDO на 5В

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26

Корзина

Название
Кол-во
нет покупок

Авторизация на сайте

ООО «Макро Тим» // Пресс-центр

20.02.2019

ИС LMG1210 для управления мощным полумостовым ключем на транзисторах GaN с питанием 200В/1.5А

Свой подход к эффективному использованию возможностей полевых транзисторов на нитриде галлия (GaN FET) продемонстрировала компания Texas Instruments, выпустив в феврале 2019г новую ИС LMG1210. ИС оптимизирована для совместной работы с мощным полумостовым каскадом на GaN FET.

Свой подход к эффективному использованию возможностей полевых транзисторов на нитриде галлия (GaN FET) продемонстрировала компания Texas Instruments, выпустив в феврале 2019г новую ИС LMG1210. ИС оптимизирована для совместной работы с мощным полумостовым каскадом на GaN FET.  В ркзультате создан мощный импульсный усилитель с напряжением питания 200В и током в нагрузке 1.5А, с частотой импульсов до 50МГц, с очень малой задержкой распространения 10нс, со временем переключения с высокого уровня на низкий 3.4нс и возможностью регулировки времени простоя (deadtime) при работе с ШИМ.  В ИС имеется встроенный стабилизатор напряжения на 5В, благодаря чему ИС работает с любым напряжением от 6В до 18В. Предусмотрена  возможность выбора типа ограничительного диода (стабилитрона)  для адаптации ИС к различным приложениям.  Внутренний ключ отключает стабилитрон, когда разомкнута цепь на землю, предотвращая тем самым перегрузку стабилитрона и минимизируя обратный выброс заряда. Дополнительным преимуществом транзисторов GaN FET является малая выходная паразитная емкость, не превышающая 1пф, что также снижает потери при коммутации. ИС может работать в двух режимах работы: два ее выхода  независимо либо в режиме ШИМ. В режиме с независимыми выходами каждым из выходов ИС функционирует независимо в соответствии с его назначением. В режиме ШИМ оба комплементарных выходных сигнала формируются из одного входного и пользователь может регулировать время простоя каждого фронта импульса от 0 до 20нс. ИС имеет защиту от недо- и перенапряжения и от перегрева. Диапазон рабочих температур составляет от –40°C до 125°C. ИС выпускается в корпусе типа WQFN с низкой паразитной индуктивностью выводов. Основные характеристики:

Для заказов обращайтесь в ООО «Макро Тим» по адресу  alexerk@macroteam.ru и по тел. +7 495 306-00-26